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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modello di prodotti | FDN359BN | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 607047 pcs | Scheda dati | 1.FDN359BN.pdf2.FDN359BN.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SuperSOT-3 |
| Serie | PowerTrench® | Rds On (max) a Id, Vgs | 46 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | FDN359BN-ND FDN359BN_F095 FDN359BN_F095TR FDN359BN_F095TR-ND FDN359BNF095 FDN359BNFSTR FDN359BNFSTR-ND FDN359BNOSTR FDN359BNTR FDN359BNTR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| UPS | www.UPS.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
| TNT | www.TNT.com | A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
