FDS8949-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS8949-F085
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Specifiche:	FDS8949-F085.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	132606 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132606 pcs

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Specifiche di FDS8949-F085

Modello di prodotti	FDS8949-F085	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	132606 pcs	Scheda dati	FDS8949-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	FDS8949-F085TR FDS8949_F085 FDS8949_F085TR FDS8949_F085TR-ND FDS8949F085
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	40V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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