FDS8958B_G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDS8958B_G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6849 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6849 pcs

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Specifiche di FDS8958B_G

Modello di prodotti	FDS8958B_G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6849 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max	900mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 15V, 760pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V	Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.4A, 4.5A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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