FGA25N120ANDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FGA25N120ANDTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IGBT 1200V 40A 310W TO3P
Specifiche:	FGA25N120ANDTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6965 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6965 pcs

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Specifiche di FGA25N120ANDTU

Modello di prodotti	FGA25N120ANDTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IGBT 1200V 40A 310W TO3P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6965 pcs	Scheda dati	FGA25N120ANDTU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	1200V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	3.2V @ 15V, 25A
Condizione di test	600V, 25A, 10 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	60ns/170ns
di scambio energetico	4.8mJ (on), 1mJ (off)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3P
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	350ns
Potenza - Max	310W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Standard
Tipo IGBT	NPT	carica gate	200nC
Descrizione dettagliata	IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P	Corrente - collettore Pulsed (Icm)	75A
Corrente - collettore (Ic) (max)	40A	Numero di parte base	FGA25N120A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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