FQB7N80TM_AM002

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQB7N80TM_AM002
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
Specifiche:	FQB7N80TM_AM002.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6736 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6736 pcs

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Specifiche di FQB7N80TM_AM002

Modello di prodotti	FQB7N80TM_AM002	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6736 pcs	Scheda dati	FQB7N80TM_AM002.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 167W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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