FQB85N06TM_AM002

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FQB85N06TM_AM002
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK
Specifiche:	FQB85N06TM_AM002.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3767 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3767 pcs

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Specifiche di FQB85N06TM_AM002

Modello di prodotti	FQB85N06TM_AM002	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3767 pcs	Scheda dati	FQB85N06TM_AM002.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	10 mOhm @ 42.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.75W (Ta), 160W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4120pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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