HGTP7N60B3D

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	HGTP7N60B3D
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IGBT 600V 14A 60W TO220AB
Specifiche:	1.HGTP7N60B3D.pdf 2.HGTP7N60B3D.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3149 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3149 pcs

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Specifiche di HGTP7N60B3D

Modello di prodotti	HGTP7N60B3D	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IGBT 600V 14A 60W TO220AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3149 pcs	Scheda dati	1.HGTP7N60B3D.pdf 2.HGTP7N60B3D.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	600V	Vce (on) (max) a VGE, Ic	2.1V @ 15V, 7A
Condizione di test	480V, 7A, 50 Ohm, 15V	Td (on / off) @ 25 ° C	26ns/130ns
di scambio energetico	160µJ (on), 120µJ (off)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220AB
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	37ns
Potenza - Max	60W	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo di ingresso	Standard
Tipo IGBT	-	carica gate	23nC
Descrizione dettagliata	IGBT 600V 14A 60W Through Hole TO-220AB	Corrente - collettore Pulsed (Icm)	56A
Corrente - collettore (Ic) (max)	14A	Numero di parte base	HGTP7N60

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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