MVDF1N05ER2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	MVDF1N05ER2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
Specifiche:	MVDF1N05ER2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4249 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4249 pcs

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Specifiche di MVDF1N05ER2G

Modello di prodotti	MVDF1N05ER2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4249 pcs	Scheda dati	MVDF1N05ER2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 1.5A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	50V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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