NJVMJD117T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NJVMJD117T4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4
Specifiche:	NJVMJD117T4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	295024 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 295024 pcs

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Specifiche di NJVMJD117T4G

Modello di prodotti	NJVMJD117T4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	295024 pcs	Scheda dati	NJVMJD117T4G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor	PNP - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Potenza - Max	1.75W
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	25MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 2A, 3V	Corrente - Cutoff collettore (max)	20µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	2A	Numero di parte base	MJD117

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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