NJVMJD127T4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NJVMJD127T4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	IC TRANS PNP 8A 100V DPAK
Specifiche:	NJVMJD127T4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	271085 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 271085 pcs

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Specifiche di NJVMJD127T4G

Modello di prodotti	NJVMJD127T4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	IC TRANS PNP 8A 100V DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	271085 pcs	Scheda dati	NJVMJD127T4G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	100V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	4V @ 80mA, 8A
Tipo transistor	PNP - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	DPAK
Serie	-	Potenza - Max	20W
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	NJVMJD127T4G-ND NJVMJD127T4GOSTR	temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 20W Surface Mount DPAK	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	1000 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)	10µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	8A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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