NSS35200CF8T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSS35200CF8T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
Specifiche:	NSS35200CF8T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	440989 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 440989 pcs

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Specifiche di NSS35200CF8T1G

Modello di prodotti	NSS35200CF8T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	440989 pcs	Scheda dati	NSS35200CF8T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	35V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 20mA, 2A
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	ChipFET™
Serie	-	Potenza - Max	635mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead
Altri nomi	NSS35200CF8T1G-ND NSS35200CF8T1GOSTR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	100MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1.5A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	2A
Numero di parte base	NSS35200

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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