NSS40300DDR2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSS40300DDR2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Specifiche:	NSS40300DDR2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	105383 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 105383 pcs

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Specifiche di NSS40300DDR2G

Modello di prodotti	NSS40300DDR2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	105383 pcs	Scheda dati	NSS40300DDR2G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	40V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	170mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor	2 PNP (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Potenza - Max	653mW
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi	NSS40300DDR2GOSDKR	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	100MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	180 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	3A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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