NTB082N65S3F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTB082N65S3F
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Specifiche:	NTB082N65S3F.pdf
Condizione di scorta	11677 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NTB082N65S3F

Modello di prodotti	NTB082N65S3F	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	SUPERFET3 650V D2PAK PKG	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	11677 pcs	Scheda dati	NTB082N65S3F.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	82 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	NTB082N65S3FOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo	Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)

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Post-Vendita
Specifiche

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