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NTB125N02R

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: NTB125N02R
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
Specifiche: NTB125N02R.pdf
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta 6172 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 6172 pcs
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Specifiche di NTB125N02R

Modello di prodotti NTB125N02R fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 6172 pcs Scheda dati NTB125N02R.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore D2PAK
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 24V Descrizione dettagliata N-Channel 24V 95A (Ta), 120.5A (Tc) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Ta), 120.5A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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