NTB65N02R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTB65N02R
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Specifiche:	NTB65N02R.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3582 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3582 pcs

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Specifiche di NTB65N02R

Modello di prodotti	NTB65N02R	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3582 pcs	Scheda dati	NTB65N02R.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.04W (Ta), 62.5W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	25V	Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 65A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)

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Post-Vendita
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