NTB65N02RT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTB65N02RT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
Specifiche:	NTB65N02RT4G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5960 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5960 pcs

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Specifiche di NTB65N02RT4G

Modello di prodotti	NTB65N02RT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5960 pcs	Scheda dati	NTB65N02RT4G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.04W (Ta), 62.5W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	NTB65N02RT4GOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 7.6A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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