NTD4909N-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD4909N-1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
Specifiche:	NTD4909N-1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6983 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6983 pcs

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Specifiche di NTD4909N-1G

Modello di prodotti	NTD4909N-1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6983 pcs	Scheda dati	NTD4909N-1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I-PAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.37W (Ta), 29.4W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1314pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta), 41A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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