NTD4909NAT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTD4909NAT4G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3281 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3281 pcs

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Specifiche di NTD4909NAT4G

Modello di prodotti	NTD4909NAT4G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3281 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	DPAK	Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	8 mOhm @ 30A, 10V	Dissipazione di potenza (max)	-
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio	-	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1314pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta), 41A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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