NTHC5513T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTHC5513T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Specifiche:	NTHC5513T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	442748 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 442748 pcs

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Specifiche di NTHC5513T1G

Modello di prodotti	NTHC5513T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 1206A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	442748 pcs	Scheda dati	NTHC5513T1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	ChipFET™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potenza - Max	1.1W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	NTHC5513T1GOS NTHC5513T1GOS-ND NTHC5513T1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A, 2.2A	Numero di parte base	NTHC5513

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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