NTHD2102PT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTHD2102PT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Specifiche:	NTHD2102PT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3270 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3270 pcs

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Specifiche di NTHD2102PT1

Modello di prodotti	NTHD2102PT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3270 pcs	Scheda dati	NTHD2102PT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	ChipFET™
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	58 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potenza - Max	1.1W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	NTHD2102PT1OS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	715pF @ 6.4V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 2.5V
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	8V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A	Numero di parte base	NTHD2102P

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Post-Vendita
Specifiche

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