NTJD2152PT2G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTJD2152PT2G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Specifiche:	NTJD2152PT2G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3544 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3544 pcs

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Specifiche di NTJD2152PT2G

Modello di prodotti	NTJD2152PT2G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3544 pcs	Scheda dati	NTJD2152PT2G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	300 mOhm @ 570mA, 4.5V
Potenza - Max	270mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 8V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V	Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	8V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	775mA
Numero di parte base	NTJD2152P

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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