NTJD4001NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTJD4001NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
Specifiche:	NTJD4001NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	1034060 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1034060 pcs

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Specifiche di NTJD4001NT1G

Modello di prodotti	NTJD4001NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	1034060 pcs	Scheda dati	NTJD4001NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 100µA	Contenitore dispositivo fornitore	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max	272mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Altri nomi	NTJD4001NT1GOS NTJD4001NT1GOS-ND NTJD4001NT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	33pF @ 5V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.3nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	250mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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