NVR4501NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVR4501NT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Specifiche:	NVR4501NT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	537617 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 537617 pcs

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Specifiche di NVR4501NT1G

Modello di prodotti	NVR4501NT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	537617 pcs	Scheda dati	NVR4501NT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Tj)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	NVR4501NT1G-ND NVR4501NT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1.25W (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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