NVR5198NLT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NVR5198NLT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23
Specifiche:	NVR5198NLT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	665592 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 665592 pcs

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Specifiche di NVR5198NLT1G

Modello di prodotti	NVR5198NLT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	665592 pcs	Scheda dati	NVR5198NLT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	155 mOhm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	NVR5198NLT1G-ND NVR5198NLT1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	182pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.1nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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