ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ALD212900ASAL
Costruttore / Marca:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Specifiche:	ALD212900ASAL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	23403 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23403 pcs

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Specifiche di ALD212900ASAL

Modello di prodotti	ALD212900ASAL	fabbricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	23403 pcs	Scheda dati	ALD212900ASAL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	10mV @ 20µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	EPAD®, Zero Threshold™	Rds On (max) a Id, Vgs	14 Ohm
Potenza - Max	500mW	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	1014-1211
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	10.6V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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