ALD212902PAL

Advanced Linear Devices, Inc.

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ALD212902PAL
Costruttore / Marca:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Specifiche:	ALD212902PAL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	33516 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33516 pcs

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Specifiche di ALD212902PAL

Modello di prodotti	ALD212902PAL	fabbricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	33516 pcs	Scheda dati	ALD212902PAL.pdf
Vgs (th) (max) a Id	20mV @ 10µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-PDIP
Serie	EPAD®, Zero Threshold™	Rds On (max) a Id, Vgs	-
Potenza - Max	500mW	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	8-DIP (0.300", 7.62mm)	temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Tensione drain-source (Vdss)	10.6V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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