| Modello di prodotti | CWDM3011P TR13 | fabbricante | Central Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
| quantità disponibile | 226894 pcs | Scheda dati | CWDM3011P TR13.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | 20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | CWDM3011P TR-ND CWDM3011P TR13 LEAD FREE CWDM3011P TR13 PBFREE CWDM3011PTR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 8V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
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|---|---|---|
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