CWDM305ND TR13

Central Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	CWDM305ND TR13
Costruttore / Marca:	Central Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Specifiche:	CWDM305ND TR13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	108187 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di CWDM305ND TR13

Modello di prodotti	CWDM305ND TR13	fabbricante	Central Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	108187 pcs	Scheda dati	CWDM305ND TR13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOIC
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 2.9A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	CWDM305ND DKR CWDM305ND DKR-ND CWDM305NDDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5.8A

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Specifiche

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