DMG6402LVT-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG6402LVT-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Specifiche:	DMG6402LVT-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	202610 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 202610 pcs

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Specifiche di DMG6402LVT-7

Modello di prodotti	DMG6402LVT-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	202610 pcs	Scheda dati	DMG6402LVT-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.75W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMG6402LVT-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	498pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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