DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG6601LVT-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Specifiche:	DMG6601LVT-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	981439 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 981439 pcs

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Specifiche di DMG6601LVT-7

Modello di prodotti	DMG6601LVT-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	981439 pcs	Scheda dati	DMG6601LVT-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	55 mOhm @ 3.4A, 10V
Potenza - Max	850mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	422pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.3nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A, 2.5A	Numero di parte base	DMG6601

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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