DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG8822UTS-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Specifiche:	DMG8822UTS-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	375473 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 375473 pcs

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Specifiche di DMG8822UTS-13

Modello di prodotti	DMG8822UTS-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	375473 pcs	Scheda dati	DMG8822UTS-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	900mV @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-TSSOP
Serie	Automotive, AEC-Q101	Rds On (max) a Id, Vgs	25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Potenza - Max	870mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	841pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard	Tensione drain-source (Vdss)	20V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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