DMG8880LK3-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMG8880LK3-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
Specifiche:	DMG8880LK3-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	99582 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 99582 pcs

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Specifiche di DMG8880LK3-13

Modello di prodotti	DMG8880LK3-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	99582 pcs	Scheda dati	DMG8880LK3-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.68W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	DMG8880LK3-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1289pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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