DMN10H099SK3-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN10H099SK3-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Specifiche:	DMN10H099SK3-13.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
Condizione di scorta	408304 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 408304 pcs

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Specifiche di DMN10H099SK3-13

Modello di prodotti	DMN10H099SK3-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 17A TO252	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
quantità disponibile	408304 pcs	Scheda dati	DMN10H099SK3-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-252
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	34W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	DMN10H099SK3-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1172pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-252	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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