DMN10H120SFG-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN10H120SFG-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Specifiche:	DMN10H120SFG-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	405961 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 405961 pcs

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Specifiche di DMN10H120SFG-13

Modello di prodotti	DMN10H120SFG-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	405961 pcs	Scheda dati	DMN10H120SFG-13.pdf
Tensione - Prova	549pF @ 50V	Tensione - Ripartizione	PowerDI3333-8
Vgs (th) (max) a Id	110 mOhm @ 3.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	3.8A (Ta)
Polarizzazione	8-PowerWDFN	Altri nomi	DMN10H120SFG-13DITR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	DMN10H120SFG-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10.6nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 100V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V
rapporto di capacità	1W (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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