DMN10H170SFDE-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN10H170SFDE-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Specifiche:	DMN10H170SFDE-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	432771 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 432771 pcs

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Specifiche di DMN10H170SFDE-13

Modello di prodotti	DMN10H170SFDE-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	432771 pcs	Scheda dati	DMN10H170SFDE-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	U-DFN2020-6 (Type E)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	160 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	660mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	6-UDFN Exposed Pad	Altri nomi	DMN10H170SFDE-13DI
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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