DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN1250UFEL-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
Specifiche:	DMN1250UFEL-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	83683 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMN1250UFEL-7

Modello di prodotti	DMN1250UFEL-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	83683 pcs	Scheda dati	DMN1250UFEL-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	U-QFN1515-12
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	450 mOhm @ 200mA, 4.5V
Potenza - Max	660mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	12-UFQFN Exposed Pad	Altri nomi	DMN1250UFEL-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 6V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4.5V
Tipo FET	8 N-Channel, Common Gate, Common Source	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	12V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 8 N-Channel, Common Gate, Common Source 12V 2A 660mW Surface Mount U-QFN1515-12
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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