DMN10H220LVT-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMN10H220LVT-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Specifiche:	DMN10H220LVT-7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	141563 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di DMN10H220LVT-7

Modello di prodotti	DMN10H220LVT-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	141563 pcs	Scheda dati	DMN10H220LVT-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSOT-26
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	220 mOhm @ 1.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.67W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	DMN10H220LVT-7DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	401pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.87A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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