DMS3014SSS-13

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMS3014SSS-13
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Specifiche:	DMS3014SSS-13.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	147681 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 147681 pcs

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Specifiche di DMS3014SSS-13

Modello di prodotti	DMS3014SSS-13	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	147681 pcs	Scheda dati	DMS3014SSS-13.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SO
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	13 mOhm @ 10.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.55W (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	DMS3014SSS-13DICT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2296pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45.7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.4A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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