DMS3016SFG-7

Diodes Incorporated

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DMS3016SFG-7
Costruttore / Marca:	Diodes Incorporated
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Specifiche:	DMS3016SFG-7.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
Condizione di scorta	400553 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 400553 pcs

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Specifiche di DMS3016SFG-7

Modello di prodotti	DMS3016SFG-7	fabbricante	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS Compliant
quantità disponibile	400553 pcs	Scheda dati	DMS3016SFG-7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	13 mOhm @ 11.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	980mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1886pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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