IXTH1N170DHV

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTH1N170DHV
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH
Specifiche:	IXTH1N170DHV.pdf
Condizione di scorta	7793 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7793 pcs

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Specifiche di IXTH1N170DHV

Modello di prodotti	IXTH1N170DHV	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7793 pcs	Scheda dati	IXTH1N170DHV.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247HV
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 0V
Dissipazione di potenza (max)	290W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3090pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	0V	Tensione drain-source (Vdss)	1700V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1700V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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