IXTH200N085T

IXYS Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	IXTH200N085T
Costruttore / Marca:	IXYS Corporation
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
Specifiche:	IXTH200N085T.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3982 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3982 pcs

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Specifiche di IXTH200N085T

Modello di prodotti	IXTH200N085T	fabbricante	IXYS Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 85V 200A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3982 pcs	Scheda dati	IXTH200N085T.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247 (IXTH)
Serie	TrenchMV™	Rds On (max) a Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	480W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	85V	Descrizione dettagliata	N-Channel 85V 200A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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