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SPB16N50C3ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
SPB16N50C3ATMA1 Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: SPB16N50C3ATMA1
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
Specifiche: SPB16N50C3ATMA1.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 5358 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5358 pcs
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Specifiche di SPB16N50C3ATMA1

Modello di prodotti SPB16N50C3ATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 560V 16A TO-263 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 5358 pcs Scheda dati SPB16N50C3ATMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 675µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2
Serie CoolMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 280 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Altri nomi SP000014895
SPB16N50C3
SPB16N50C3-ND
SPB16N50C3ATMA1TR
SPB16N50C3INTR
SPB16N50C3INTR-ND
SPB16N50C3XT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 560V
Descrizione dettagliata N-Channel 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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