SPB18P06P

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SPB18P06P
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Specifiche:	SPB18P06P.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	5968 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5968 pcs

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Specifiche di SPB18P06P

Modello di prodotti	SPB18P06P	fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	5968 pcs	Scheda dati	SPB18P06P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Serie	SIPMOS®	Rds On (max) a Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	81.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	SP000012329 SPB18P06PT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	18.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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