QH8MA3TCR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	QH8MA3TCR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Specifiche:	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	323601 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 323601 pcs

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Specifiche di QH8MA3TCR

Modello di prodotti	QH8MA3TCR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	323601 pcs	Scheda dati	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	29 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max	1.5W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	QH8MA3TCRTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A, 5.5A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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