QH8KA1TCR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	QH8KA1TCR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	30V NCH+NCH POWER MOSFET
Specifiche:	1.QH8KA1TCR.pdf 2.QH8KA1TCR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	439424 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 439424 pcs

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Specifiche di QH8KA1TCR

Modello di prodotti	QH8KA1TCR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	30V NCH+NCH POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	439424 pcs	Scheda dati	1.QH8KA1TCR.pdf 2.QH8KA1TCR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT8
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	73 mOhm @ 4.5A, 10V
Potenza - Max	2.4W	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	QH8KA1TCRTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	125pf @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	-
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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