R6076ENZ1C9

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	R6076ENZ1C9
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Specifiche:	R6076ENZ1C9.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7628 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7628 pcs

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Specifiche di R6076ENZ1C9

Modello di prodotti	R6076ENZ1C9	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 76A TO247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7628 pcs	Scheda dati	R6076ENZ1C9.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	42 mOhm @ 44.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	120W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 76A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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