RFN10B3STL

Rohm Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RFN10B3STL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Specifiche:	RFN10B3STL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3385 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3385 pcs

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Specifiche di RFN10B3STL

Modello di prodotti	RFN10B3STL	fabbricante	Rohm Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3385 pcs	Scheda dati	RFN10B3STL.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	10A
Tensione - Ripartizione	CPD	Serie	-
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Tempo di ripristino inverso (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	RFN10B3STLTR	Temperatura di funzionamento - Giunzione	30ns
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	RFN10B3STL	Descrizione espansione	Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
Configurazione diodo	10µA @ 350V	Descrizione	DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Corrente - Dispersione inversa a Vr	1.5V @ 10A	Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	350V
Capacità a Vr, F	150°C (Max)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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