RFN10BM3STL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RFN10BM3STL
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Specifiche:	1.RFN10BM3STL.pdf 2.RFN10BM3STL.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	191241 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 191241 pcs

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Specifiche di RFN10BM3STL

Modello di prodotti	RFN10BM3STL	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 350V 10A TO252	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	191241 pcs	Scheda dati	1.RFN10BM3STL.pdf 2.RFN10BM3STL.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.5V @ 10A	Tensione - inversa (Vr) (max)	350V
Contenitore dispositivo fornitore	TO-252	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	30ns
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	RFN10BM3STLTR	Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252	Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 350V
Corrente - raddrizzata media (Io)	10A	Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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