RSQ020N03TR

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RSQ020N03TR
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Specifiche:	1.RSQ020N03TR.pdf 2.RSQ020N03TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	383330 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 383330 pcs

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Specifiche di RSQ020N03TR

Modello di prodotti	RSQ020N03TR	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	383330 pcs	Scheda dati	1.RSQ020N03TR.pdf 2.RSQ020N03TR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	134 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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