RUC002N05HZGT116

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RUC002N05HZGT116
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	1.2V DRIVE NCH MOSFET
Specifiche:	1.RUC002N05HZGT116.pdf 2.RUC002N05HZGT116.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	345721 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 345721 pcs

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Specifiche di RUC002N05HZGT116

Modello di prodotti	RUC002N05HZGT116	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	1.2V DRIVE NCH MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	345721 pcs	Scheda dati	1.RUC002N05HZGT116.pdf 2.RUC002N05HZGT116.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SST3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	RUC002N05HZGT116DKR	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Tensione drain-source (Vdss)	50V
Descrizione dettagliata	N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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